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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.2
15.8
写入速度,GB/s
8.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2824
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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