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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.2
8.9
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1946
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
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