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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
13.2
17.4
写入速度,GB/s
8.4
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3714
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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