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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
42
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
42
读取速度,GB/s
13.2
12.9
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2735
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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