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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.2
16.9
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2708
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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