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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
15.6
写入速度,GB/s
8.3
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
3005
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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