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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
42
读取速度,GB/s
13.3
15.5
写入速度,GB/s
8.3
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
3170
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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