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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
92
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
39
读取速度,GB/s
2,105.4
14.3
写入速度,GB/s
1,266.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2880
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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