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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
39
读取速度,GB/s
13.3
15.2
写入速度,GB/s
8.3
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
2878
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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