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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.3
14.5
写入速度,GB/s
8.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
2590
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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