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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.3
13.8
写入速度,GB/s
8.3
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
1983
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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