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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
AMD R7416G2133U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
78
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7416G2133U2S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
78
读取速度,GB/s
12.7
13.5
写入速度,GB/s
7.5
6.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1594
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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AMD R7416G2133U2S 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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