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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
20
读取速度,GB/s
12.7
18.7
写入速度,GB/s
7.5
13.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3287
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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