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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
14.6
12.9
写入速度,GB/s
8.8
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2690
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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