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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
139
左右 80% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
139
读取速度,GB/s
12.7
14.4
写入速度,GB/s
7.5
6.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1152
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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