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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
17.6
写入速度,GB/s
7.5
12.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3084
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
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