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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
16.1
写入速度,GB/s
7.5
12.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2968
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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