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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
18.0
写入速度,GB/s
7.5
15.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3694
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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