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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
19.9
写入速度,GB/s
870.4
14.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3152
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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