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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905665-009.A00G 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.7
16.0
写入速度,GB/s
7.5
11.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2494
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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