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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
13.5
写入速度,GB/s
7.5
7.2
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2154
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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