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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
3,405.2
18.1
写入速度,GB/s
2,622.0
13.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3226
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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