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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
17.9
写入速度,GB/s
5.9
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3619
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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