RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
77
Autour de -267% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
21
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3226
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMN1740EF48D8F-800 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link