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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
11.7
写入速度,GB/s
7.5
7.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1997
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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