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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 34
    左右 18% 更低的延时
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.9 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 2800

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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内存RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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