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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
12.7
18.8
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3168
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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