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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
12.7
12.8
写入速度,GB/s
7.5
7.4
内存带宽,mbps
8500
10600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1770
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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