RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
10600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1770
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link