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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
14.3
写入速度,GB/s
7.5
7.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2103
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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