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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.5
15.6
写入速度,GB/s
8.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3122
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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