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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
14.2
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2470
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
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