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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
50
读取速度,GB/s
12.7
10.6
写入速度,GB/s
7.5
8.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2386
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
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