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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
35
左右 -94% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
18
读取速度,GB/s
14.4
21.2
写入速度,GB/s
9.5
17.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3663
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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