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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
14.4
16.9
写入速度,GB/s
9.5
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3132
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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