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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3132
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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