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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 35
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.2 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 19.2
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 13.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 3341

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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