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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
14.4
17.6
写入速度,GB/s
9.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3686
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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