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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
14.4
17.3
写入速度,GB/s
9.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3544
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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