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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
35
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
21
读取速度,GB/s
14.4
21.4
写入速度,GB/s
9.5
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
4293
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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