RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
14.4
19.1
写入速度,GB/s
9.5
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3773
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link