RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3773
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link