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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
14.4
14.5
写入速度,GB/s
9.5
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3377
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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