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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
14.4
17.1
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3286
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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