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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
78
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
78
读取速度,GB/s
14.4
13.1
写入速度,GB/s
9.5
6.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1584
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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