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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
35
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
17
读取速度,GB/s
14.4
21.6
写入速度,GB/s
9.5
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3528
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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