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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
41
读取速度,GB/s
12.6
14.7
写入速度,GB/s
7.2
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2154
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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