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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
66
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
66
读取速度,GB/s
12.8
15.3
写入速度,GB/s
7.4
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2122
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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