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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
12.8
16.5
写入速度,GB/s
7.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2982
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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