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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
12.8
16.1
写入速度,GB/s
7.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2848
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
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